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真空離子鍍膜設備是通過(guò)對熱量以及來(lái)自等離子(zǐ)體的(de)能量的(de)利用,在(zài)真空(kōng)環境中將金屬蒸(zhēng)發,使其與反應性氣體結合,然後將其用於轟擊基材,終成膜。比(bǐ)之傳統的浸泡鍍膜,它有優越的耐磨性和粘附性。
對於壓力在10??Pa~10??Pa範圍內的真空離子鍍膜設備的設計結構有(yǒu)以下(xià)要求:
1、電阻值(zhí)。根據GB/T 11164一(yī)99標準中的規定,來決(jué)定真空室所接不同電位間的絕緣(yuán)電阻值的大小。
2、離(lí)子轟擊電源。離子鍍膜機通常具有(yǒu)基材負偏壓和離子轟擊電源,離子轟擊電源應具備將非正常放電有效抑製的功能,以達到穩定的工作狀態(tài)。
3、基(jī)材架。基材架與真空室體之間應有(yǒu)絕緣設計,基材架的設(shè)計要考慮基材鍍製(zhì)的膜層均勻問題。
4、加熱係統。加熱係(xì)統需要合理的布置,加熱(rè)器結構布局(jú)要考慮到基材的(de)溫升均勻問題。
5、沉積源。設計離(lí)子鍍沉積(jī)源要充分考慮鍍膜(mó)過程中的離化率問題,將離(lí)化率盡(jìn)可能地(dì)提高,同時提高了靶材利用率。沉積源的功率要合理匹配,沉積源在真空室體的位置同樣(yàng)需要合理的布置。
6、觀察窗結構。真空鍍膜室設有觀察窗,在此觀(guān)察窗上設置擋板(bǎn)。要求觀(guān)察窗可(kě)觀察到沉積源以及(jí)其他關鍵部位的工作狀態。
7、蒸(zhēng)汽與油(yóu)的捕集。若(ruò)設備使用的抽氣(qì)係統(tǒng)是以擴(kuò)散(sàn)泵(bèng)為主泵,則要合理設置油蒸氣捕集阱。
8、屏蔽與測量裝置。真空測量規管安裝於低真空和(hé)高真空管(guǎn)道上及真空鍍膜室上,可分別各部位的真空度進行測量。若電場幹擾了測量,應安裝電場屏蔽裝置於測量口(kǒu)處(chù),用以阻截該(gāi)電場。
9、密封裝置的結(jié)構(gòu)。根(gēn)據GB/T 6070標準中的規定,來決定設備中的真空管道、密封圈、密封法蘭等裝置的結構型式(shì)。
標簽:多弧鍍膜電源
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