真空鍍膜技術對設備有哪些（xiē）基本的技術要求（qiú）？

真空鍍膜技術（shù）麻豆免费视频（men）都不陌（mò）生（shēng），真空（kōng）鍍膜就是（shì）置待鍍材料和被鍍基板於真空室內，采用（yòng）一定（dìng）方法（fǎ）加熱待鍍材（cái）料，使之蒸發或升華，並飛行濺射到被（bèi）鍍基板表麵（miàn）凝聚成膜的工藝。

真空鍍膜電源：

　　1、設備中（zhōng）的真空（kōng）管道、靜態密封（fēng）零部件（法蘭、密（mì）封圈等）的（de）結構形式，應符合GB/T6070的規（guī）定。

　　2、在低真空和高真空（kōng）管道上及真空鍍（dù）膜室上應安裝真空測量規管，分（fèn）別測量各部位的真空（kōng）度。當發（fā）現電場對測量造成幹擾時，應在測量口處安裝電場屏蔽裝置。

　　3、如果（guǒ）設備使用的主泵為擴（kuò）散泵（bèng）時，應在泵的（de）進氣口一（yī）側裝設有油蒸捕集阱

　　4、設（shè）備的鍍膜室應設有觀察窗（chuāng），應設有擋板裝置。觀察窗應能（néng）觀察到沉積源的工作情況以（yǐ）及其他關鍵部位。

　　5、離子鍍沉積源的設計應盡可能提高鍍膜（mó）過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉（chén）積源在真空室體的位置。

　　6、合理布置加熱裝置，一般加熱器結構（gòu）布局應使被鍍工件溫升均勻一致（zhì）。

　　7、工件架應與真空（kōng）室體絕緣（yuán），工件架的設計應使工件膜層均勻。

　　8、離子鍍膜設備一般應具有工件（jiàn）負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應（yīng）具有抑（yì）製非正（zhèng）常放電裝置，維（wéi）持工作穩定。

　　9、真空（kōng）室接不同（tóng）電位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4、4、6

標簽：真空鍍膜電（diàn）源