離子鍍（dù）膜原理及種類（lèi）

離子鍍是真（zhēn）空室中，利用氣體放電或（huò）被蒸發物質部分離化，在氣體離子或被蒸發物（wù）質粒子轟擊作用的同時，將蒸（zhēng）發（fā）物或（huò）反應物沉（chén）積在基（jī）片上（shàng）。離子鍍把 輝光放電現（xiàn）象、 等離（lí）子體技術和（hé）真空蒸發三者有機結（jié）合起（qǐ）來（lái），不僅能明顯地改進了膜質量，而（ér）且還擴大了（le）薄膜的應用（yòng）範（fàn）圍。多弧電（diàn）源其優點是薄膜（mó） 附著力強，繞射性好，膜材（cái）廣（guǎng）泛等。D.M.首次提出離（lí）子鍍原理，起工作過程是：
　　先將真空室抽至4×10（-3）帕（pà）以上的 真空度，再（zài）接通 高壓電源，在蒸發源與基片之間建立一個低壓氣體放電的 低溫等離子區。基片電極接上5KV直流負高（gāo）壓，從而（ér）形成輝光（guāng）放電陰極。輝光放電去產生的惰性氣體離子進入陰極暗區被電場加速並轟（hōng）擊基片表麵，對其進行清洗。然後計入鍍膜過程，加（jiā）熱使鍍料氣化，起原子進入等離子區，與惰性氣體離子及電子發生碰撞，少部分產生離化。離化後的例子及氣體離子以較高能（néng）量轟擊 鍍層表麵，致使膜層質（zhì）量得到改善。
　　離子鍍種類很多，蒸發遠加熱方式有電阻加熱、 電子束加熱、等離子電（diàn）子束加熱、高頻感應加熱（rè）等
　　然而多弧離子鍍與一般（bān）的離子鍍有著很大（dà）的區別。多弧離子鍍采用的（de）是弧（hú）光放（fàng）電，而（ér）並不是傳統（tǒng）離子鍍的輝（huī）光放電進行沉積（jī）。簡單的說，多弧離（lí）子鍍的原（yuán）理就（jiù）是把陰極靶作為蒸發源，通過靶與陽極殼（ké）體之間的弧光放電（diàn），使靶材蒸發，從而在（zài）空間中形成 等離子體，對基體進行沉積。
　　標簽：多弧電源